业内曝三星 3nm GAA 存在漏电等关键技术问题，难与台积电匹敌

据业内人士透露，三星电子的 3nm GAA 工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题，消息人士称，该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的 3nm FinFET 工艺。

据《电子时报》报道，上述人士表示，三星可能最早于 2022 年将其 3nm GAA 工艺量产，但由于成本高和性能不理想，可能无法吸引到台积电 3nm FinFET 工艺所获得的客户，后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单。

台积电有望在 2022 年下半年将其 3nm FinFET 工艺推向量产，CEO 魏哲家在最近的财报会议上表示，“N3 将是我们 N5 的另一个全面扩展，并将采用 FinFET 晶体管结构，为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。”

在失去苹果 iPhone 处理器订单后，三星在尖端芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士称，从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得 3nm 竞争的关键。

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