IDF专题：硅光技术获重大突破

英特尔(Intel)于旧金山IDF前夕举办「Day Zero」会议，此次议题焦点锁定英特尔在硅光技术获得重大进展。英特尔院士暨光技术实验室总监Mario Pannicia博士表示，英特尔于2007年7月成功研发出资料编码容量可达40Gbps的硅镭射模组(Silicon Laser Modulator)后，再接再厉将硅光侦测器(Silicon Photo-Detector)速度提高至40Gbps，每秒可侦测超过400亿位的镭射光讯号，再次宣示英特尔在先进技术领导地位。

Pannicia指出，单就硅晶体制作的硅光侦测器，在速度上无法配合编码容量可达40Gbps的硅镭射模组，成为硅光技术发展瓶颈，而为解决以上问题，英特尔全力投入研发，成功以硅与锗元素为基础(silicon and germanium based)，制作出全新光侦测器，由于锗元素拥有对光波高速超敏感度表现，加上与CMOS相容，因而成为新一代光侦测器最佳组合。不过，由于锗粒子结构体积比硅粒子大4%，在硅与锗混合时仍有部分问题待解决，英特尔正加紧脚步改良。